新闻

汉天下电子推出全系列LTE高隔离度、低插损SOI射频开关- HS87XX

         近日,汉天下电子宣布推出HS87系列LTE射频天线开关,该系列开关均采用先进的SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)工艺,具有低插损、高隔离度、高功率等优点。该系列开关品种齐全、性能优异、射频方案配置灵活,产品线涵盖3G/4G 单刀多掷开关,支持3G/4G单刀三/四/五/六/八掷分集接收开关,与汉天下的3G/4G射频前端模块组成支持多模多频的射频前端方案,能够适应全球不同地区LTE频段的需求。

        射频天线开关,接在天线与射频处理电路之间,用于切换天线工作状态,用于切换频段以及接收、发射信号。通过开关,可以将不同频段、不同制式的信号分离,进而输出至手机的不同系统中进行处理,以减少不同信号之间的互相干扰,帮助提高信号接受灵敏度。射频开关是手机射频前端必不可少的关键器件,性能的优劣直接决定手机终端信号质量。由于SOI具有的高速、高隔离度特性和优良的抗辐射特性,有着GaAs工艺无法媲美的优势。近年来,在无线通讯领域里,SOI工艺已逐渐成为射频开关的首选工艺。

        HS8713/4/5/6/8系列芯片为单刀多掷开关,采用先进的SOI工艺制程,具有极低损耗,在2.7GHz的频率下,插损仅为0.6dB;高线性度,0.1dB压缩点高达+35dBm,各阶谐波均高于80dBc;高隔离度,在整个工作频带,隔离度大于24dB。同时,HS871X兼容+1V的逻辑控制电压,非常适合用于LTE分集接收。


        HS8772和HS8728A为SP2T开关,同样采用先进的SOI制程。与HS871X相比,该SP2T开关具有更低的损耗和更高的线性度,在2.7GHz的频率下,插损仅为0.4dB,0.1dB压缩点可达+39dBm,兼容+1V的逻辑控制电压。HS8772和HS8728A采用不同的封装,方便客户根据布局需要进行选择,适于WCDMA频带切换等场合。


        经过三年爆发式成长,汉天下电子已发展成为国内销量第一的射频前端芯片、无线通信芯片以及解决方案的供应商。2014年,公司芯片总出货量近4亿颗。预计2015年,公司芯片总出货量超过6亿颗,其中月出货量已突破7000万颗。通过与上下游合作伙伴的紧密合作,已经形成了比较丰富的产品线,能够给用户提供更多的选择和更好的服务。

中科汉天下电子有限公司 © 2014 版权所有   powered by Minethink京ICP备12042624 Copyright 2014 Auto Parts All Right Reserve